مقاله شبيه سازي ترانزيستور اثر ميداني نانوسيم سيليکني تونلي با گيت فراگير و تحليل آن

    —         —    

ارتباط با ما     —     لیست پایان‌نامه‌ها

... دانلود ...

بخشی از متن مقاله شبيه سازي ترانزيستور اثر ميداني نانوسيم سيليکني تونلي با گيت فراگير و تحليل آن :

سال انتشار: 1394
محل انتشار: کنفرانس ملی چشم انداز 1404 و پیشرفتهای تکنولوژیک علوم مهندسی
تعداد صفحات:6
نویسنده(ها):
راشین آب بند پاشاکی – گروه مهندسی برق, واحد رشت, دانشگاه آزاد اسلامی, رشت, ایران
سید علی صدیق ضیابری – گروه مهندسی برق, واحد رشت, دانشگاه آزاد اسلامی, رشت, ایران

چکیده:
در این مقاله مطالعاتی بر روی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکنی تونلی با گیت فراگیر انجام شده است. ابتدا منحنی جربان درین سورس بر حسب ولتاژ گیت سورس ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکنی تونلی به ازای مقادیر مختلف دما بدست آمده است که برای انجام این کار از روش NEGF یا تابع غیر تعادلی گرین استفاده کرده ایم. سپس تغییر قطر کانال نانوسیم به عنوان راهکاری برای بهبود کارایی ترانزیستور مورد نظر ارائه می شود. با تحلیل نتایج بدست آمده خواهیم دید که هر چقدر قطر کانال ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم تونلی کاهش یابد, سرعت کلیدزنی آن افزایش خواهد یافت.

لینک کمکی